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實(shí)驗內容：ALD
臭氧機型：Atlas H30和3S-J5000
中科院-高濃度臭氧發(fā)生器用于A(yíng)LD
該臭氧發(fā)生器濃度可達300mg/L，搭配3S-J5000臭氧檢測儀對濃度進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測。
高濃度臭氧發(fā)生器在A(yíng)LD（原子層沉積）中有廣泛的應用。ALD是一種薄膜沉積技術(shù)，通過(guò)周期性的氣相反應，一層一層地沉積原子尺度的薄膜。臭氧在A(yíng)LD中通常用作氧化劑，與金屬有機前體反應，形成金屬氧化物薄膜。
高濃度的臭氧發(fā)生器能夠提供更高的臭氧濃度，這對于快速且均勻地進(jìn)行ALD過(guò)程至關(guān)重要。這種設備通常需要嚴格的控制和安全措施，以確保在工藝中保持穩定的氣相條件，從而獲得高質(zhì)量的薄膜沉積。
經(jīng)典成功案例
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